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為深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，根據(jù)《上海市建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心“十四五”規(guī)劃》，上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)特發(fā)布2025年度關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)計(jì)劃“前沿與交叉技術(shù)領(lǐng)域”項(xiàng)目申報(bào)指南。
一、征集范圍
專題一、未來制造
方向1：原子級制造
1. 3 nm及以下節(jié)點(diǎn)金屬互連電化學(xué)原子層沉積技術(shù)
研究目標(biāo)：面向集成電路先進(jìn)制程演進(jìn)對金屬互連線間距、通孔深寬比的極限需求，開展金屬互連原子層沉積關(guān)鍵技術(shù)研究，滿足3 nm以下制程節(jié)點(diǎn)金屬互連工藝需求。
研究內(nèi)容：開展金屬薄膜自限性沉積的關(guān)鍵技術(shù)研究，完成原子層沉積裝置原型樣機(jī)開發(fā)。實(shí)現(xiàn)銅、鈷、釕及新型互連材料金屬原子逐層沉積與控制，電阻率與體材料接近（且<10 μΩ?cm），雜質(zhì)水平<0.5 at%，無鹵素污染；開發(fā)3 nm以下制程節(jié)點(diǎn)，線間距小于12 nm、深寬比超過7:1的后段金屬互連工藝。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
2. 5 nm及以下節(jié)點(diǎn)介質(zhì)原子層蝕刻技術(shù)
研究目標(biāo)：面向集成電路先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)介質(zhì)層對蝕刻形貌、蝕刻均勻性、蝕刻選擇比的極限要求，開展原子尺度精準(zhǔn)蝕刻關(guān)鍵技術(shù)研究，滿足5 nm及以下先進(jìn)邏輯工藝電介質(zhì)原子層刻蝕工藝需求。
研究內(nèi)容：面向5 nm及以下先進(jìn)邏輯工藝所需的電介質(zhì)原子層蝕刻工藝，完成原子層蝕刻裝置原型樣機(jī)開發(fā)。突破快速脈沖供氣、快速氣體切換、等離子體能量精準(zhǔn)控制、顆粒污染控制等關(guān)鍵技術(shù)；實(shí)現(xiàn)原子層蝕刻能力、對小尺寸（~10 nm）孔洞蝕刻深寬比>5:1，金屬污染<101? atom/cm2。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
3. 大口徑精密光學(xué)元件原子級拋光及缺陷修復(fù)技術(shù)
研究目標(biāo)：面向強(qiáng)激光等場景對精密光學(xué)元件的原子級精度加工需求，開展原子級拋光及缺陷調(diào)控技術(shù)研究，在相關(guān)重大科技基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。
研究內(nèi)容：開展復(fù)合能場原子級拋光及缺陷調(diào)控機(jī)理研究，開發(fā)能場控制、拋光耗材、工件運(yùn)動(dòng)控制等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)原子級精準(zhǔn)修形和缺陷損傷修復(fù)。具備大口徑光學(xué)元件等產(chǎn)品的原子級拋光及缺陷損傷的修復(fù)能力，采用行業(yè)國標(biāo)測試標(biāo)準(zhǔn)，對典型工件拋光表面粗糙度（RMS）≤0.5 nm；可有效修復(fù)原子級缺陷類型≥5種，修復(fù)后的損傷閾值提升>50%（且絕對值不低于35 J/cm2）。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
4. 基于主動(dòng)式掃描探針的原子級制造系統(tǒng)
研究目標(biāo)：以原子級光刻制造為牽引，針對現(xiàn)有電子束光刻機(jī)寫場拼接非原位對準(zhǔn)的精度不足，開展高精度電子束定位與控制技術(shù)研究，實(shí)現(xiàn)國際領(lǐng)先圖形拼接精度的電子束光刻樣機(jī)研制及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
研究內(nèi)容：開發(fā)基于多探針的高效原子級制造系統(tǒng)樣機(jī)。突破主動(dòng)式探針微納加工關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)晶圓級、批量化制造；突破高頻反饋控制等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)基于主動(dòng)式探針的智能化控制系統(tǒng)。光刻圖形寫場拼接精度≤2 nm。完成不少于2個(gè)客戶的銷售，并協(xié)同開展2項(xiàng)以上應(yīng)用場景開發(fā)。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
5. 高通量原子級制造量測技術(shù)
研究目標(biāo)：以確保原子級制造過程和產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，突破現(xiàn)有檢測技術(shù)精度與效率平衡的局限。研發(fā)具備原子級分辨率、高通量、抗干擾的表征技術(shù)，具備原子級加工過程關(guān)鍵數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)表征能力，在新材料開發(fā)、芯片制程、元件加工等場景實(shí)現(xiàn)應(yīng)用驗(yàn)證2項(xiàng)以上。
研究內(nèi)容：面向原子級制造對表征技術(shù)的嚴(yán)苛要求，專注于制造過程的動(dòng)態(tài)監(jiān)測和產(chǎn)品精準(zhǔn)評測。開展超高時(shí)空精度表征、高效無損在線監(jiān)測、高通量檢測技術(shù)及核心元件研究。突破高端測量設(shè)備核心技術(shù)部件，攻克測量效率瓶頸。完成表征系統(tǒng)樣機(jī)研制，構(gòu)建適用于原子級制造工業(yè)場景的表征技術(shù)體系。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
6. 原子級材料智能設(shè)計(jì)與制造創(chuàng)新體系
研究目標(biāo)：面向原子級材料按需制備的迫切需求，針對人工經(jīng)驗(yàn)主導(dǎo)的設(shè)計(jì)方法周期長、效率低、性能預(yù)測難等瓶頸，發(fā)展智能算法與模型，建立原子級材料的通用設(shè)計(jì)平臺，實(shí)現(xiàn)高性能新材料的高效預(yù)測、按需制備和快速迭代。
研究內(nèi)容：第一性原理計(jì)算與深度學(xué)習(xí)算法深度融合。依托多自由度的原子級精準(zhǔn)操控技術(shù)，研發(fā)至少2種具有代表性的先進(jìn)制備方案，包括原子級自組裝和原子層異質(zhì)堆疊等關(guān)鍵技術(shù)，推動(dòng)材料結(jié)構(gòu)與性能的按需調(diào)控和自適應(yīng)迭代制造。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
7. 原子級精準(zhǔn)調(diào)控材料與器件性能躍升
研究目標(biāo)：研究原子尺度材料與器件界面通用調(diào)控體系，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性能指標(biāo)大幅躍升，在電子信息、能源電力等關(guān)鍵戰(zhàn)略領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)至少1項(xiàng)以上落地應(yīng)用。
研究內(nèi)容：建立原子尺度材料界面表征與分析體系，明確界面微觀結(jié)構(gòu)與性能之間的定量關(guān)聯(lián)機(jī)制；開發(fā)通用的原子級界面調(diào)控技術(shù)，包括精確控制界面材料的原子層厚度、優(yōu)化界面原子構(gòu)型與成分梯度；設(shè)計(jì)并制備高效的原子級保護(hù)層，顯著抑制材料退化。攻克原子級精度的多元協(xié)同調(diào)控核心技術(shù)（如沉積、摻雜、擴(kuò)散、刻蝕、相變、應(yīng)力等），解決界面氧化、非晶死層、晶格錯(cuò)配、元素遷移等典型問題，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性能指標(biāo)顯著提升，并大幅提升長期穩(wěn)定性指標(biāo)，在關(guān)鍵戰(zhàn)略領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)落地應(yīng)用。構(gòu)建材料與器件性能優(yōu)化通用理論模型，推動(dòng)示范應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向2：先進(jìn)激光制造
1. 復(fù)雜加工場景與寬溫域服役條件下激光焊接關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用驗(yàn)證
研究目標(biāo)：面向?qū)挏赜蛳赂呖煽啃苑坌枨螅槍Ω邚?qiáng)不銹鋼等高強(qiáng)構(gòu)件（室溫抗拉強(qiáng)度>1200 MPa）焊接接頭性能弱化抑制問題，開展激光焊接工藝-微觀組織-力學(xué)性能關(guān)聯(lián)機(jī)制研究，在航空航天、海洋工程等領(lǐng)域不少于2種典型結(jié)構(gòu)件上實(shí)現(xiàn)應(yīng)用驗(yàn)證。
研究內(nèi)容：研究多光場協(xié)同下激光填絲焊熔池波動(dòng)及焊縫成形調(diào)控，開發(fā)高質(zhì)量、高效率激光焊接材料、焊接技術(shù)及焊縫跟隨系統(tǒng)。實(shí)現(xiàn)在裝配間隙0-0.3 mm等復(fù)雜加工場景下高可靠性焊接。77-373 K寬溫域服役條件激光拼焊接頭強(qiáng)度（抗拉、屈服）系數(shù)均不低于基材90%，斷裂延伸率不低于基材50%。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
2. 超大部件激光加工數(shù)字孿生與參數(shù)智能優(yōu)化研究
研究目標(biāo)：針對能源裝備、艦船制造、冶金化工領(lǐng)域汽輪機(jī)組件等超大部件高效設(shè)計(jì)、加工、裝配與檢修全生命周期需求，研發(fā)激光加工數(shù)字孿生與參數(shù)智能優(yōu)化系統(tǒng)。提升裝配合格率，降低維修成本，為部件設(shè)計(jì)及加工參數(shù)的迭代優(yōu)化提供理論依據(jù)與技術(shù)指引。
研究內(nèi)容：研究超大部件內(nèi)部空間高精度自動(dòng)檢測技術(shù)，動(dòng)態(tài)獲取其加工過程關(guān)鍵尺寸并生成最優(yōu)激光加工工藝參數(shù)，線性精度25 μm+6 μm/m，測量范圍≥10 m。研究多軸高精度運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)大型裝備超遠(yuǎn)距離多自由度靈活測量，特別是窄、小、深位置的精準(zhǔn)測量。研究大型部件虛擬裝配技術(shù)，開發(fā)虛擬裝配交互平臺，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵尺寸的數(shù)字化仿真加工和預(yù)裝配，自動(dòng)采集超大部件長期運(yùn)行關(guān)鍵尺寸變化量，制作數(shù)據(jù)庫并解析其時(shí)間演變機(jī)理，優(yōu)化大型構(gòu)件激光加工工藝參數(shù)。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
3. 激光增材制造新型高承溫合金構(gòu)件的智能成分設(shè)計(jì)與工藝研究
研究目標(biāo)：面向航空航天、能源裝備領(lǐng)域熱端部件性能與成本兼顧需求，針對關(guān)鍵構(gòu)件激光增材制造質(zhì)量和高溫持久性能不足的問題，開發(fā)基于機(jī)器學(xué)習(xí)的智能成分設(shè)計(jì)與工藝研究方法，所設(shè)計(jì)的高溫合金在2種以上高端裝備耐熱材料結(jié)構(gòu)件上通過試制驗(yàn)證。
研究內(nèi)容：開展增材制造新型高承溫鎳基合金智能設(shè)計(jì)研究，形成基于機(jī)器學(xué)習(xí)的熱力學(xué)可打印性和高溫強(qiáng)度設(shè)計(jì)準(zhǔn)則及數(shù)據(jù)庫，數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)量≥15萬條。建立新型合金增材制造工藝-組織-性能關(guān)聯(lián)性及形性協(xié)同調(diào)控方法。通過機(jī)器學(xué)習(xí)智能設(shè)計(jì)，完成激光增材制造高承溫合金開發(fā)，在高端裝備的關(guān)鍵熱端部件上通過試制驗(yàn)證。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
專題二、交叉領(lǐng)域
方向1：空間與能源交叉融合
1. 高空風(fēng)電技術(shù)與裝備原型開發(fā)
研究目標(biāo)：面向高空風(fēng)能的捕捉利用，研發(fā)高空風(fēng)能發(fā)電技術(shù)與裝備原型，實(shí)現(xiàn)連續(xù)穩(wěn)定示范運(yùn)行，取得工程化應(yīng)用突破。
研究內(nèi)容：研發(fā)高空風(fēng)電技術(shù)與裝備，包括實(shí)驗(yàn)室概念驗(yàn)證、關(guān)鍵部件與構(gòu)型設(shè)計(jì)、系統(tǒng)整體穩(wěn)定性優(yōu)化等。所開發(fā)的原型機(jī)在不低于600米高度上實(shí)現(xiàn)示范應(yīng)用，連續(xù)工作不低于100小時(shí)，單位面積集能輸出功率不少于200 MW/km2。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過500萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
方向2：生物與信息交叉融合
1. 多器官芯片互作及培養(yǎng)系統(tǒng)開發(fā)
研究目標(biāo)：面向低成本、高效率新藥研發(fā)需求，開發(fā)多器官芯片平臺，體外模擬人類生理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)在早期藥物發(fā)現(xiàn)或藥物安全性測試中的應(yīng)用。
研究內(nèi)容：開展多器官芯片互聯(lián)技術(shù)研究，支持至少3種及以上器官芯片的功能耦合與協(xié)同作用。研發(fā)非侵入式多模態(tài)生物傳感陣列，實(shí)現(xiàn)器官芯片內(nèi)電生理信號與光學(xué)信號的原位采集，以及多模態(tài)數(shù)據(jù)的自動(dòng)化采集與標(biāo)準(zhǔn)化輸出。開發(fā)溫度、濕度、流速及氣體環(huán)境等參數(shù)的動(dòng)態(tài)監(jiān)測與調(diào)節(jié)系統(tǒng)，確保芯片內(nèi)細(xì)胞活性維持至少6個(gè)月。建立基于AI的藥物預(yù)測模型，動(dòng)態(tài)監(jiān)測藥物的有效性及毒性（準(zhǔn)確率>95%）。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
2. 人工心肺機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與裝備研發(fā)
研究目標(biāo)：研發(fā)人工心肺機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與裝備，在術(shù)式配置靈活性、智能化核心參數(shù)監(jiān)測及與高級生命支持設(shè)備協(xié)同等功能上達(dá)到實(shí)用需求，完成型式檢驗(yàn)、動(dòng)物實(shí)驗(yàn)和臨床試驗(yàn)。
研究內(nèi)容：研發(fā)具有抗凝涂層和優(yōu)異生物相容性的氧合器及管路材料，氧氣交換率≥45 mL/L/min，二氧化碳排除率≥38 mL/L/min。開發(fā)基于離心泵作為主泵的循環(huán)系統(tǒng)和智能灌注監(jiān)控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)動(dòng)/靜脈血液飽和度、流量、溫度等多參數(shù)實(shí)時(shí)采集，及基于循環(huán)參數(shù)與患者個(gè)體特征的智能最優(yōu)灌注方案生成。開發(fā)模塊化循環(huán)支持系統(tǒng)，能夠根據(jù)手術(shù)需求靈活配置，并與ECMO設(shè)備高度兼容。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
3. 無創(chuàng)三維顱腦功能成像
研究目標(biāo)：研發(fā)三維顱腦功能超聲成像儀，實(shí)現(xiàn)從腦皮層至深腦區(qū)的微小血管超聲成像。建立無創(chuàng)、精準(zhǔn)的高時(shí)空分辨率神經(jīng)功能血供評價(jià)方法。
研究內(nèi)容：研發(fā)高分辨率腦功能成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)大腦功能的實(shí)時(shí)精確檢測（時(shí)間分辨率<10 ms，顱腦成像深度>10 cm）和微血管超聲顯微（空間分辨率<10 μm，檢出低至1 mm/s流速的微血流）。解析核團(tuán)神經(jīng)微環(huán)路和全腦尺度的動(dòng)態(tài)/瞬態(tài)功能連接，探索單神經(jīng)元分辨率與全腦功能網(wǎng)絡(luò)關(guān)系。探索成像方法在重大腦功能疾病的早診早治、腦血管病評價(jià)、腦功能評價(jià)等場景下的應(yīng)用研究。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
方向3：生物與制造交叉融合
1. 核酸介導(dǎo)的高性能半導(dǎo)體器件及電路開發(fā)
研究目標(biāo)：研發(fā)基于核酸模板的高性能半導(dǎo)體器件及電路，為集成電路先進(jìn)制程提供使能技術(shù)。
研究內(nèi)容：解決多尺寸核酸模板的精準(zhǔn)組裝、基于模板的功能材料有序排布，以及生物-半導(dǎo)體界面的高效調(diào)控等關(guān)鍵技術(shù)問題。實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)晶體管特征尺寸≤10 nm，遷移率>2000 cm2/V?s，亞閾值擺幅≤60 mV/dec，開關(guān)比≥10?。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
2. 多酶體系生物制造示范驗(yàn)證
研究目標(biāo)：為系統(tǒng)性解決多酶催化體系的設(shè)計(jì)難題，創(chuàng)制高性能生物催化元件，研發(fā)智能化多酶體系構(gòu)建方法，實(shí)現(xiàn)高效生物制造示范應(yīng)用。
研究內(nèi)容：開發(fā)由人工智能驅(qū)動(dòng)的新型酶元件挖掘算法，創(chuàng)制一批高效且穩(wěn)定的核心酶元件。構(gòu)建智能化多酶復(fù)合體設(shè)計(jì)平臺，并對其進(jìn)行系統(tǒng)集成和逐級放大驗(yàn)證，針對黃酮類、生物堿類、核酸類或氨基酸衍生物等化合物，構(gòu)建體內(nèi)/體外高效生物制造路徑，建立噸級工業(yè)示范生產(chǎn)線。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向4：材料與生物交叉融合
1. CT球管用石墨復(fù)合靶盤制備技術(shù)
研究目標(biāo)：針對高性能醫(yī)療CT球管石墨靶盤加工難題，制備真空性能穩(wěn)定，高溫強(qiáng)度優(yōu)良，散熱高效的石墨復(fù)合靶盤，并形成靶盤穩(wěn)定批量化制造能力。
研究內(nèi)容：研制CT球管用,鎢錸合金、鉬鋯鈦合金等和石墨構(gòu)成的復(fù)合靶盤，鎢錸合金密度≥18.5 g/cm3、鉬鋯鈦合金密度≥9.9 g/cm3；提高等靜壓石墨性能，石墨密度≥1.83 g/cm3、硬度≥58 HSD、電阻率10-12 μΩ?m、彎曲強(qiáng)度≥48 MPa、抗壓強(qiáng)度≥100 MPa、抗拉強(qiáng)度≥29 MPa、楊氏模量10-13 GPa、熱膨脹4.8-5.5×10-6/K、熱導(dǎo)率≥115 W/(m?K)；開發(fā)靶盤材料焊接技術(shù)，異種材料焊接強(qiáng)度≥18MPa；制備石墨復(fù)合靶盤30件，靶盤連續(xù)掃描時(shí)間≥60 s、工作轉(zhuǎn)速≥8400 RPM、最高轉(zhuǎn)速≥12000 RPM（工作溫度1200℃）、散熱功率≥19 kW（測試真空度10-7 Pa，25℃）；完成不少于10支CT球管應(yīng)用。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2028年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
2. 高性能磁性微球材料制備技術(shù)及應(yīng)用
研究目標(biāo)：針對當(dāng)前國產(chǎn)磁性微球存在的問題，開發(fā)具有高比表面積、可控表面化學(xué)特性及優(yōu)異生物相容性的功能化磁性微球材料，實(shí)現(xiàn)活性基團(tuán)密度的精準(zhǔn)調(diào)控、粒徑均一性控制及超低非特異性吸附，形成技術(shù)領(lǐng)先，性能可靠，穩(wěn)定量產(chǎn)的制備方案。
研究內(nèi)容：面向生物醫(yī)藥、體外診斷等領(lǐng)域需求，研發(fā)不同粒徑的磁性微球，至少包含1 μm、3 μm，粒徑分散系數(shù)≤0.1，磁性納米顆粒均勻分散于聚合物微球中，磁響應(yīng)時(shí)間≤10秒（0.3 T磁場下磁分離效率≥99%），飽和磁化強(qiáng)度≥70 emu/g，剩磁≤3%；研發(fā)包含不同功能基團(tuán)的磁性微球，至少包含羧基、甲苯磺?；?，功能基團(tuán)分布CV≤5%，批內(nèi)重復(fù)性CV≤6%，批間差異CV≤8%（連續(xù)10批次），連續(xù)20批次粒徑分布波動(dòng)≤±5%，2-8℃儲存條件下功能穩(wěn)定性大于2年，4-40℃儲存12個(gè)月后磁響應(yīng)時(shí)間波動(dòng)≤5%、偶聯(lián)效率下降≤3%，經(jīng)5次磁分離-重懸循環(huán)后，磁珠回收率≥99%；建成磁珠生產(chǎn)線，建立從磁性微球合成、表面功能化到批次質(zhì)控的全流程國產(chǎn)化生產(chǎn)體系，單批次產(chǎn)能≥5 kg、粒徑合格率≥95%，應(yīng)用于化學(xué)發(fā)光等臨床診斷產(chǎn)品并取得用戶驗(yàn)證測試報(bào)告。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2028年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：（1）非定額資助，擬支持不超過3個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元；（2）實(shí)施“賽馬制”。
3. 長江口二號古船出水文物保護(hù)關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用
研究目標(biāo)：針對出水古船典型病害評估與保護(hù)處理共性需求，解析基于多相界面的“微生物－鐵腐蝕－木質(zhì)劣化”耦合作用機(jī)制，開發(fā)高效、精準(zhǔn)的彩釉腐蝕防治關(guān)鍵材料與技術(shù)，形成古船微生物病害智能化快速檢測系統(tǒng)。
研究內(nèi)容：研究古船“木/鐵復(fù)合構(gòu)件”典型病害分類量化評估技術(shù)方法，評估應(yīng)用案例不少于15個(gè)；完成古船“木/鐵復(fù)合構(gòu)件”保護(hù)處理應(yīng)用案例不少于20個(gè)；研發(fā)適用于出水古陶瓷彩釉腐蝕防治的多酸/固載生物耦合水凝膠保護(hù)材料，生物腐蝕與礦化沉積的去除率不低于90%；完成出水古陶瓷彩釉變色的精確逆向復(fù)色保護(hù)技術(shù)研發(fā)，應(yīng)用案例不少于20個(gè)；建立長江口水域環(huán)境古陶瓷彩釉腐蝕作用機(jī)制模型不少于3套；完成基于納米傳感技術(shù)的典型微生物病害現(xiàn)場快速檢測試劑盒研發(fā)，檢測靈敏度100 CFU/mL以內(nèi)，檢測時(shí)間≤40 min；完成篩選及鑒定長江口二號古船典型微生物病害不少于5種；完成古船典型微生物病害智能化快速檢測系統(tǒng)研發(fā)，古船現(xiàn)場檢測應(yīng)用案例不少于20個(gè)。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2028年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向5：信息與制造交叉融合
1. 面向端側(cè)大模型的高能效計(jì)算芯片
研究目標(biāo)：研制新型架構(gòu)的計(jì)算芯片，提升大模型終端產(chǎn)品性能與能效。
研究內(nèi)容：開發(fā)面向端側(cè)大模型的高能效計(jì)算芯片，芯片算力≥100 Tops@INT8、能量效率≥8 Tops/W@INT8、面積效率≥1 Tops/mm2@INT8。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
2. 高性能AI算力芯片系統(tǒng)容錯(cuò)優(yōu)化管理平臺
研究目標(biāo)：面向高性能算力芯片運(yùn)行可靠性的關(guān)鍵需求，構(gòu)建容錯(cuò)優(yōu)化管理平臺產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)對算力系統(tǒng)觀測、預(yù)測、干預(yù)。
研究內(nèi)容：研究系統(tǒng)級算力芯片運(yùn)行數(shù)據(jù)采集、健康狀態(tài)建模、趨勢預(yù)測、異常識別、錯(cuò)誤溯源與定位的技術(shù)，研究系統(tǒng)級魯棒性增強(qiáng)機(jī)制，構(gòu)建算力集群的軟硬件協(xié)同管理平臺，減少因芯片老化等導(dǎo)致的計(jì)算中斷30%以上，故障預(yù)測誤報(bào)率控制在5%以內(nèi)。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過200萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
3. 具身智能體數(shù)字基因
研究目標(biāo)：面向具身智能體對物理世界的通用感知、理解推理和交互需求，為機(jī)器人建立真實(shí)世界的抽象表示，提升機(jī)器人執(zhí)行任務(wù)時(shí)的泛化能力。
研究內(nèi)容：研究物理場景的程序化表示，為機(jī)器人提供高維度、概念化的抽象描述和完全可觀測的狀態(tài)空間。研發(fā)動(dòng)態(tài)場景認(rèn)知與決策支持系統(tǒng)，通過對場景的數(shù)字化孿生與實(shí)時(shí)仿真，實(shí)現(xiàn)智能體在真實(shí)場景下的認(rèn)知與決策。開發(fā)基于物理規(guī)律和生成式AI的合成數(shù)據(jù)生成技術(shù)，為具身智能體提供高質(zhì)量、可交互的物體與場景數(shù)據(jù)，提升其場景泛化能力。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向6：材料與制造交叉融合
1. 先進(jìn)顯示用黑色光刻膠制造
研究目標(biāo)：開展黑色光刻膠制造技術(shù)研究，推動(dòng)新一代無偏光片OLED顯示器性能突破，實(shí)現(xiàn)本征黑色光刻膠的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
研究內(nèi)容：開展無顏料添加的黑色光敏聚酰亞胺制造技術(shù)研究，實(shí)現(xiàn)遮光性（OD值≥1），曝光能量≤150 mJ/cm2，分辨率≤3 μm，固化溫度≤270°C，拉伸強(qiáng)度≥80 MPa，模量≥3 GPa，斷裂伸長率≥8%，熱膨脹系數(shù)≤50 ppm/K（50-150°C），介電常數(shù)≤3.6，吸水率≤1.2%，Taper角≤30°，光刻無殘留。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
2. 無機(jī)光敏材料極紫外光刻膠制造
研究目標(biāo)：面向3 nm以下節(jié)點(diǎn)，開發(fā)基于新一代無機(jī)光敏材料光刻膠制造技術(shù)，避免現(xiàn)有有機(jī)光刻膠體系的化學(xué)模糊效應(yīng)問題。
研究內(nèi)容：開展無機(jī)材料光敏功能調(diào)控研究，攻克無機(jī)光敏材料精準(zhǔn)制造與集成工藝難題，解決傳統(tǒng)光刻膠隨機(jī)噪聲和線寬粗糙度問題，突破物理分辨率極限，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)原子級無機(jī)填料均勻性，分辨率≤12 nm，曝光靈敏度<20 mJ/cm2。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
3. 高頻通信用超低介電基板制造
研究目標(biāo)：面向物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、遠(yuǎn)程醫(yī)療等領(lǐng)域?qū)Ω哳l、低延遲通信的需求，開展新材料體系PCB基板前沿制造研究，實(shí)現(xiàn)新材料體系PCB基板制造與應(yīng)用。
研究內(nèi)容：開發(fā)介電損耗低、耐熱變溫度高、熱膨脹系數(shù)小、阻燃等級高和輕量化的超低介電常數(shù)基板材料，實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)≤1.5，介電損耗≤0.0008，熱變形溫度≥260℃，壓縮模量≥20 MPa，熱膨脹系數(shù)≤30 ppm/℃，阻燃等級達(dá)到UL94V-0的基板材料制造。
執(zhí)行期限：2025年11月1日至2027年10月31日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
二、申報(bào)要求
除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：
1. 項(xiàng)目申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項(xiàng)目實(shí)施的相應(yīng)能力。
2. 對于申請人在以往市級財(cái)政資金或其他機(jī)構(gòu)（如科技部、國家自然科學(xué)基金等）資助項(xiàng)目基礎(chǔ)上提出的新項(xiàng)目，應(yīng)明確闡述二者的異同、繼承與發(fā)展關(guān)系。
3. 所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科研誠信管理要求，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)承諾所提交材料真實(shí)性，申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)對申請人的申請資格負(fù)責(zé)，并對申請材料的真實(shí)性和完整性進(jìn)行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項(xiàng)目申請。
4. 申報(bào)項(xiàng)目若提出回避專家申請的，須在提交項(xiàng)目可行性方案的同時(shí)，上傳由申報(bào)單位出具公函提出回避專家名單與理由。
5. 所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科技倫理準(zhǔn)則。擬開展的科技活動(dòng)應(yīng)進(jìn)行科技倫理風(fēng)險(xiǎn)評估，涉及科技部《科技倫理審查辦法（試行）》（國科發(fā)監(jiān)〔2023〕167號）第二條所列范圍科技活動(dòng)的，應(yīng)按要求進(jìn)行科技倫理審查并提供相應(yīng)的科技倫理審查批準(zhǔn)材料。
6. 所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實(shí)驗(yàn)室生物安全管理相關(guān)規(guī)定。
7. 已作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)市科委科技計(jì)劃在研項(xiàng)目2項(xiàng)及以上者，不得作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人申報(bào)。
8. 項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)預(yù)算編制應(yīng)當(dāng)真實(shí)、合理，符合市科委科技計(jì)劃項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)管理的有關(guān)要求。
9. 各研究內(nèi)容同一單位限報(bào)1項(xiàng)。
三、申報(bào)方式
1. 項(xiàng)目申報(bào)采用網(wǎng)上申報(bào)方式，無需送交紙質(zhì)材料。請申請人通過“上海市科技管理信息系統(tǒng)”（http://svc.stcsm.sh.gov.cn）進(jìn)入“項(xiàng)目申報(bào)”，進(jìn)行網(wǎng)上填報(bào)，由申報(bào)單位對填報(bào)內(nèi)容進(jìn)行網(wǎng)上審核后提交。
【初次填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入“一網(wǎng)通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進(jìn)入申報(bào)指南頁面，點(diǎn)擊相應(yīng)的指南專題，進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)；
【繼續(xù)填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄后，繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。有關(guān)操作可參閱在線幫助。
2. 項(xiàng)目網(wǎng)上填報(bào)起始時(shí)間為2025年9月15日9:00，校內(nèi)截止時(shí)間為2025年9月28日16:30。
四、評審方式
專題二、方向4中“高性能磁性微球材料制備技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目實(shí)施“賽馬制”，采用一輪見面會(huì)評審方式；其他項(xiàng)目采用一輪通訊評審方式。
五、立項(xiàng)公示
上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)將向社會(huì)公示擬立項(xiàng)項(xiàng)目清單，接受公眾異議。
六、實(shí)施管理要求
市科委將明確項(xiàng)目專員對項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)行跟蹤管理，開展“里程碑”式考核。項(xiàng)目承擔(dān)單位需落實(shí)項(xiàng)目實(shí)施的主體責(zé)任，配合市科委開展項(xiàng)目過程管理及評估考核工作。市科委根據(jù)“里程碑”考核結(jié)果調(diào)整相關(guān)項(xiàng)目后續(xù)實(shí)施方案，對于未達(dá)預(yù)期的及時(shí)終止。專題二、方向4中“高性能磁性微球材料制備技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目實(shí)施“賽馬制”，項(xiàng)目以產(chǎn)品為導(dǎo)向，擬首選不超過3個(gè)研發(fā)水平相當(dāng)、采用不同技術(shù)路線的團(tuán)隊(duì)平行立項(xiàng)，通過“里程碑”節(jié)點(diǎn)考核，擇優(yōu)予以后續(xù)支持。
聯(lián)系人：縱向管理科
聯(lián)系電話：55274272
科技發(fā)展研究院
